5G対応機器の登場により、ハイエンドスマートフォン用基板の高密度化へのニーズが高まっています。5G対応機器では、内蔵される部品の増加と電池の大容量化が必要となるため、メイン基板にはさらなる省スペース化が求められます。そこで、高密度実装の実現に向けた新たな手法として、2枚のメイン基板の間にインターポーザを挟み込んだ2階建て基板の採用が進んでいます。
しかし、部品の上下両面にバンプが点在するインターポーザでは、吸着時のエアーリーク量が多く、搬送速度を落とす必要があるため、SMT工程のボトルネックとなっていました。
(画像)生産性低下の要因となっているインターポーザの吸着面
部品吸着面にもバンプが点在しているため、ノズルと部品の間に隙間ができ吸着状態が不安定になる。
部品保持力が4倍に向上したH01Vヘッドでインターポーザを高速実装
H01Vヘッド
今回新たに開発したH01Vヘッドでは、エアー経路を変更。インターポーザの安定吸着と高速実装を同時に実現します。モジュール上流からの大流量エアをヘッドへ直接つなげ、従来のH01ヘッドに比べ部品保持力が4倍に向上しました。専用設計のノズルと組み合わせて、インターポーザの高速実装を実現します。
H01V インターポーザ実装動画
H01Vヘッドは、インターポーザ以外の部品でも、より安定した姿勢での吸着と高速搬送ができるため、ライン全体の生産性アップを実現できます。
H01Vヘッド 基本仕様
対象機種 | NXT M6Ⅲ/Ⅲc (注1) |
---|---|
ノズル数 | 1 |
対象部品サイズ | 1608 ~ 74×74mm(32×162) |
対象部品高さ | 25.4mm |
先装着部品高さ | 25.4mm |
装着精度 | ±0.03mm cpk≧1 (注2) |
スループット | 4,000 CPH (注2) |
対応ホスト | Nexim |
(注1) 装置側にH01V用の配管が必要となります。
(注2) 弊社最適条件下によるものです。 |
詳細につきましては、お気軽にお問い合わせください。